Kioxia và SanDisk đã bắt đầu lấy mẫu chip nhớ BiCS 3D NAND 332 lớp thế hệ thứ mười của họ.
Chip 1 Tbit TLC (3 bit trên mỗi ô) mới được thiết kế để triển khai SSD cho doanh nghiệp và trung tâm dữ liệu. Phiên bản mới này kế thừa bộ nhớ flash BiCS 8 218 lớp. Bên cạnh việc tăng 52% số lớp xếp chồng, bộ đôi này còn áp dụng hai nâng cấp quan trọng: công nghệ CMOS Direct Bonded to Array (CBA) và On-Pitch Select Gate Drain (OPS). Quy trình CBA chế tạo các tấm wafer logic và tế bào NAND riêng biệt trước khi liên kết chúng lại với nhau, trong khi OPS cắt bớt độ dài dòng bit và cắt điện dung dòng từ bằng cách loại bỏ các lỗ bộ nhớ dư thừa.
Tăng cường chia tỷ lệ theo chiều ngang và thêm 114 lớp xếp chồng lên nhau cùng nhau tăng mật độ tế bào của chip. Tốc độ giao diện 4,8 Gbit/s của nó nhanh hơn 33% so với thế hệ BiCS 8 trước đó. Kioxia cũng xác nhận hiệu suất năng lượng ghi được cải thiện 18% và hiệu suất năng lượng đọc tốt hơn 30%, giảm thiểu hiệu quả mức tiêu thụ năng lượng tổng thể.
Công nghệ BiCS 9 trung gian của Kioxia tận dụng các tế bào BiCS 8 3D NAND 218 lớp được ghép nối với lớp logic CMOS độc lập, mang lại hiệu suất tốt hơn so với mạch BiCS 8 ban đầu. Được trang bị giao diện Toggle DDR6.0 và giao thức Địa chỉ lệnh riêng (SCA), BiCS 10 đạt tốc độ truyền 4,8 Gbit/s, tương đương tốc độ nâng cấp 33% so với BiCS 8.
BiCS 10 NAND của Sandisk và Kioxia
Việc sản xuất hàng loạt BiCS 10 dự kiến sẽ bắt đầu vào năm tới tại Nhà máy Kitakami số 2 của Nhật Bản ở tỉnh Iwate. Là một phần của liên doanh, cả hai công ty đều chia sẻ sản phẩm của nhà máy và hiện đang vận chuyển các mẫu BiCS 10. Nền tảng 332 lớp cũng hỗ trợ các biến thể QLC (4 bit trên mỗi ô) sắp ra mắt, có thể nâng công suất chip lên 1/3. Kiến trúc BiCS 10 xếp chồng ba bộ chuỗi NAND hơn 100 lớp, thay vì áp dụng thiết kế chip 332 lớp nguyên khối.
Kioxia dự đoán nhu cầu NAND mạnh mẽ và bền vững được thúc đẩy bởi sự phổ biến ngày càng tăng của AI tác nhân và robot hỗ trợ AI. Giám đốc điều hành Hiroo Ota đã báo hiệu khả năng mở rộng công suất trong một sự kiện truyền thông Nhật Bản, đồng thời tuyên bố rằng công ty sẽ đáp ứng đầy đủ nhu cầu tăng trưởng thị trường đang diễn ra.
Trong bối cảnh cạnh tranh, 3D NAND thế hệ thứ chín của SK Hynix có 321 lớp với cấu trúc xếp chồng ba chuỗi. V NAND thế hệ thứ mười của Samsung đạt 400 lớp, áp dụng kiến trúc Cell-on-Periphery (CoP) với các tấm wafer logic và bộ nhớ riêng biệt để tạo ra khuôn 1 Tbit, tương tự như thiết kế của Kioxia. Micron hiện cung cấp NAND 276 lớp, không có bản cập nhật chính thức nào về lộ trình lớp trong tương lai. YMTC của Trung Quốc đã sẵn sàng phát hành công nghệ 3D NAND 300 lớp trong tương lai gần.
Công ty TNHH Công nghệ Qianxing Jietong Bắc Kinh
Sandy Yang/Giám đốc chiến lược toàn cầu
WhatsApp / WeChat: +86 13426366826
Email: yangyd@qianxingdata.com
Trang web: www.qianxingdata.com/www.storagesserver.com
Trọng tâm kinh doanh:
Phân phối sản phẩm CNTT/Tích hợp hệ thống & Dịch vụ/Giải pháp cơ sở hạ tầng
Với hơn 20 năm kinh nghiệm phân phối CNTT, chúng tôi hợp tác với các thương hiệu hàng đầu thế giới để cung cấp các sản phẩm đáng tin cậy và dịch vụ chuyên nghiệp.
“Sử dụng công nghệ để xây dựng một thế giới thông minh”Nhà cung cấp dịch vụ sản phẩm CNTT đáng tin cậy của bạn!
Vietnamese
